SPA16N50C3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SPA16N50C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для SPA16N50C3
SPA16N50C3 Datasheet (PDF)
spp16n50c3 spi16n50c3 spa16n50c3 spp16n50c3 spi16n50c3 spa16n50c3 rev.3.2.pdf
SPP16N50C3SPI16N50C3, SPA16N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 16 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated2 Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances2 3211P-TO220-3-31 Improved transconductanceP-TO220-3-1
Другие MOSFET... SPA11N60C3 , SPA11N60CFD , SPA11N65C3 , SPA11N80C3 , SPA12N50C3 , SPA15N60C3 , SPA15N60CFD , SPA15N65C3 , 5N65 , SPA17N80C3 , SPA20N60C3 , SPA20N60CFD , SPA20N65C3 , SPA21N50C3 , SPB80N06S-08 , SPB02N60C3 , SPB02N60S5 .
History: 2P978V
History: 2P978V
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f


