Справочник MOSFET. SPA20N60C3

 

SPA20N60C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPA20N60C3
   Маркировка: 20N60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 87 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA20N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  infineon
spp20n60c3 spi20n60c3 spa20n60c3 spp20n60c3 spi20n60c3 spa20n60c3 rev3.2.pdfpdf_icon

SPA20N60C3

SPP20N60C3SPI20N60C3, SPA20N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technologyID 20.7 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21P-TO220-3-31 High peak current capability Improved transco

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
spa20n60c3.pdfpdf_icon

SPA20N60C3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor SPA20N60C3FEATURESNew revolutionary high voltage technologyUltra low gate chargeHigh peak current capabilityImproved transconductance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 5.1. Size:466K  infineon
spa20n60cfd.pdfpdf_icon

SPA20N60C3

SPA20N60CFDCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 600 VDS New revolutionary high voltage technologyR 0.22 DS(on),max Intrinsic fast-recovery body diode1)20.7 AID Extremely low reverse recovery charge Ultra low gate chargePG-TO220-3-31 Extreme dv /dt rated High peak current capability Periodic avalanche rated Qualified f

 5.2. Size:199K  inchange semiconductor
spa20n60cfd.pdfpdf_icon

SPA20N60C3

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor SPA20N60CFDFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.