SPB80N06S-08. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SPB80N06S-08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1075 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SPB80N06S-08
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SPB80N06S-08 даташит
spi80n06s-08 spp80n06s-08 spb80n06s-08.pdf
SPB80N06S-08 SPI80N06S-08, SPP80N06S-08 SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Normal Level -Enhancement mode R (SMD version) 7.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Package PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Avalanche test Repetive
spb80n06s-08 spi80n06s-08 spp80n06s-08 spp80n06s spb80n06s spi80n06s-08green.pdf
SPB80N06S-08 SPI80N06S-08, SPP80N06S-08 SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Normal Level -Enhancement mode R (SMD version) 7.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Package PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Avalanche test Repetive
spp80n06s2-05 spb80n06s2-05.pdf
www.DataSheet4U.com SPP80N06S2-05 SPB80N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 4.8 m Enhancement mode ID 80 A 175 C operating temperature P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP80N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67040-S4245 2N0605 SPB80N06S2-05
spp80n06s2l-09 spb80n06s2l-09.pdf
SPP80N06S2L-09 SPB80N06S2L-09 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) 8.5 m Enhancement mode ID 80 A Logic Level P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP80N06S2L-09 P- TO220 -3-1 Q67060-S6031 2N06L09 SPB80N06S2L-09 P- TO263 -3-2
Другие IGBT... SPA15N60CFD, SPA15N65C3, SPA16N50C3, SPA17N80C3, SPA20N60C3, SPA20N60CFD, SPA20N65C3, SPA21N50C3, NCEP15T14, SPB02N60C3, SPB02N60S5, SPB03N60C3, SPB03N60S5, SPB04N50C3, SPB04N60C3, SPB04N60S5, SPB07N60C3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor








