SPB07N60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPB07N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SPB07N60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB07N60C3 даташит

 ..1. Size:1389K  infineon
 spb07n60c3.pdf pdf_icon

SPB07N60C3

SPB07N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.6 New revolutionary high voltage technology ID 7.3 A Ultra low gate charge PG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPB07N60C3 PG-TO263 Q67040-S4394 07N60C3 Maximum Ratings P

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 spb07n60c3.pdf pdf_icon

SPB07N60C3

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB07N60C3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

 5.1. Size:158K  infineon
 spa07n60c2 spp07n60c2 spb07n60c2.pdf pdf_icon

SPB07N60C3

SPP07N60C2, SPB07N60C2 Final data SPA07N60C2 Cool MOS Power Transistor Feature Product Summary New revolutionary high voltage technology VDS @ Tjmax 650 V Ultra low gate charge RDS(on) 0.6 Periodic avalanche rated ID 7.3 A Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 3 2 1 P-TO220-3-31 Type Package Orderi

 6.1. Size:646K  infineon
 spb07n60s5.pdf pdf_icon

SPB07N60C3

SPB07N60S5 Cool MOS Power Transistor VDS 600 V Feature RDS(on) 0.6 New revolutionary high voltage technology ID 7.3 A PG-TO263 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking 07N60S5 SPB07N60S5 PG-TO263 Q67040-S4185 Maximum Ratings Par

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPB80N06S-08, SPB02N60C3, SPB02N60S5, SPB03N60C3, SPB03N60S5, SPB04N50C3, SPB04N60C3, SPB04N60S5, IRFP250, SPB07N60S5, SPB08P06PG, SPB100N03S2-03G, SPB10N10LG, SPB11N60C3, SPB11N60S5, SPB12N50C3, SPB16N50C3