Справочник MOSFET. SPB18P06PG

 

SPB18P06PG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPB18P06PG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SPB18P06PG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB18P06PG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:441K  infineon
 spb18p06pg.pdf pdf_icon

SPB18P06PG

SPB18P06P GSIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -60 VDS P-ChannelR 0.13DS(on),max Enhancement modeI -18.6 AD Avalanche rated dv /dt ratedPG-TO263-3 175C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Qualified according to AEC Q101 Type Package Tape and reel infor

 5.1. Size:295K  infineon
 spb18p06p.pdf pdf_icon

SPB18P06PG

SPB18P06P GSIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -60 VDS P-ChannelR 0.13DS(on),max Enhancement modeI -18.6 AD Avalanche rated dv /dt ratedPG-TO263-3 175C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type Package Tape and reel information Marking Lead free PackingSPB

Другие MOSFET... SPB08P06PG , SPB100N03S2-03G , SPB10N10LG , SPB11N60C3 , SPB11N60S5 , SPB12N50C3 , SPB16N50C3 , SPB17N80C3 , CS150N03A8 , SPB20N60C3 , SPB20N60S5 , SPB21N50C3 , SPB80N10LG , SPB80P06PG , SPD01N60C3 , SPD02N50C3 , SPD02N60C3 .

History: HUFA75333P3 | 2SK2513 | HGT022N12S | PSMN5R8-30LL | CEM3258 | DMP6110SSD

 

 
Back to Top

 


 
.