SPB18P06PG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPB18P06PG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SPB18P06PG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB18P06PG даташит

 ..1. Size:441K  infineon
 spb18p06pg.pdf pdf_icon

SPB18P06PG

SPB18P06P G SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V -60 V DS P-Channel R 0.13 DS(on),max Enhancement mode I -18.6 A D Avalanche rated dv /dt rated PG-TO263-3 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Qualified according to AEC Q101 Type Package Tape and reel infor

 5.1. Size:295K  infineon
 spb18p06p.pdf pdf_icon

SPB18P06PG

SPB18P06P G SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V -60 V DS P-Channel R 0.13 DS(on),max Enhancement mode I -18.6 A D Avalanche rated dv /dt rated PG-TO263-3 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type Package Tape and reel information Marking Lead free Packing SPB

Другие IGBT... SPB08P06PG, SPB100N03S2-03G, SPB10N10LG, SPB11N60C3, SPB11N60S5, SPB12N50C3, SPB16N50C3, SPB17N80C3, IRF520, SPB20N60C3, SPB20N60S5, SPB21N50C3, SPB80N10LG, SPB80P06PG, SPD01N60C3, SPD02N50C3, SPD02N60C3