Справочник MOSFET. SPD06N80C3

 

SPD06N80C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SPD06N80C3

Маркировка: 06N80C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.9 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 31 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 33 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SPD06N80C3

 

 

SPD06N80C3 Datasheet (PDF)

1.1. spd06n80c3.pdf Size:554K _infineon

SPD06N80C3 SPD06N80C3

SPD06N80C3 CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V 800 V DS • New revolutionary high voltage technology R @ Tj = 25°C 0.9 Ω DS(on)max • Extreme dv/dt rated Q 31 nC g,typ • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant PG-TO252-3 • Ultra low gate charge • Ultra low effe

4.1. spd06n60c3.pdf Size:636K _infineon

SPD06N80C3 SPD06N80C3

SPD06N60C3 CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V @ T 650 V DS j,max • New revolutionary high voltage technology R 0.75 Ω DS(on),max • Ultra low gate charge I 6.2 A D • Periodic avalanche rated • High peak current capability • Ultra low effective capacitances PG-TO252 • Extreme dv /dt rated • Improved transconductance Type Package Ordering Code

 

Другие MOSFET... SPD03N60S5 , SPD04N50C3 , SPD04N60C3 , SPD04N60S5 , SPD04N80C3 , SPD04P10PG , SPD04P10PLG , SPD06N60C3 , 2SK117 , SPD07N20G , SPD07N60C3 , SPD07N60S5 , SPD08N50C3 , SPD08P06PG , SPD09P06PLG , SPD15P10PG , SPD15P10PLG .

 

 
Back to Top