SPD06N80C3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SPD06N80C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SPD06N80C3
SPD06N80C3 Datasheet (PDF)
spd06n80c3.pdf

SPD06N80C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS New revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 0.9DS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 31 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-TO252-3 Ultra low gate charge Ultra low effe
spd06n80c3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD06N80C3,ISPD06N80C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.9Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 8
spd06n60c3.pdf

SPD06N60C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ T 650 VDS j,max New revolutionary high voltage technologyR 0.75DS(on),max Ultra low gate chargeI 6.2 AD Periodic avalanche rated High peak current capability Ultra low effective capacitancesPG-TO252 Extreme dv /dt rated Improved transconductanceType Package Ordering Code
spd06n60c3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD06N60C3,ISPD06N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.75Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage
Другие MOSFET... SPD03N60S5 , SPD04N50C3 , SPD04N60C3 , SPD04N60S5 , SPD04N80C3 , SPD04P10PG , SPD04P10PLG , SPD06N60C3 , AO3407 , SPD07N20G , SPD07N60C3 , SPD07N60S5 , SPD08N50C3 , SPD08P06PG , SPD09P06PLG , SPD15P10PG , SPD15P10PLG .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet