SPD07N60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPD07N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SPD07N60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD07N60C3 даташит

 ..1. Size:975K  infineon
 spd07n60c3 spu07n60c3.pdf pdf_icon

SPD07N60C3

VDS Tjmax G G

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 spd07n60c3.pdf pdf_icon

SPD07N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD07N60C3,ISPD07N60C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.6 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High peak current capability Improved transconductance ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

 6.1. Size:888K  infineon
 spd07n60s5 spu07n60s5.pdf pdf_icon

SPD07N60C3

SPU07N60S5 SPD07N60S5 Cool MOS Power Transistor VDS 600 V Feature RDS(on) 0.6 New revolutionary high voltage technology ID 7.3 A Worldwide best RDS(on) in TO-251 and TO-252 PG-TO252 PG-TO251 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated 2 3 Extreme dv/dt rated 3 1 2 1 Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Packag

 6.2. Size:244K  inchange semiconductor
 spd07n60s5.pdf pdf_icon

SPD07N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD07N60S5,ISPD07N60S5 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.6 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Improved transconductance ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 600

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPD04N60C3, SPD04N60S5, SPD04N80C3, SPD04P10PG, SPD04P10PLG, SPD06N60C3, SPD06N80C3, SPD07N20G, MMIS60R580P, SPD07N60S5, SPD08N50C3, SPD08P06PG, SPD09P06PLG, SPD15P10PG, SPD15P10PLG, SPD18P06PG, SPD30N03S2L-07G