SPI11N65C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SPI11N65C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для SPI11N65C3
SPI11N65C3 Datasheet (PDF)
spp11n65c3 spa11n65c3 spi11n65c3 spp11n65c3 spa11n65c3 spi11n65c3 rev.2.91.pdf

SPP11N65C3,SPA11N65C3SPI11N65C3Cool MOS Power TransistorV 650 VDSFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO262 PG-TO220FP PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPP11N65C3 PG-TO220 Q67
spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 spa11n60c3e8185.pdf

SPP11N60C3SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 High peak current capability21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2
spi11n60cfd.pdf

SPI11N60CFDCI MOS Pwer TransistrVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.44 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO262 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Intrinsic fast-recovery body diode Extreme low reverse recovery charge0)Qualified for industrial grade applications
spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 e8185 rev.3.2.pdf

SPP11N60C3SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 High peak current capability21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2
Другие MOSFET... SPI07N60C3 , SPI07N60S5 , SPI07N65C3 , SPI08N50C3 , SPI08N80C3 , SPI11N60C3 , SPI11N60CFD , SPI11N60S5 , AON6414A , SPI12N50C3 , SPI15N60C3 , SPI15N60CFD , SPI15N65C3 , SPI16N50C3 , SPI20N60C3 , SPI20N60CFD , SPI20N65C3 .
History: DH060N08 | IXTA1N100P | ZXMN3A01Z | BSC155N06ND | STF15NM65N | SPI20N60CFD
History: DH060N08 | IXTA1N100P | ZXMN3A01Z | BSC155N06ND | STF15NM65N | SPI20N60CFD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt