Справочник MOSFET. SPI20N60C3

 

SPI20N60C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPI20N60C3
   Маркировка: 20N60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 87 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для SPI20N60C3

 

 

SPI20N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  infineon
 spp20n60c3 spi20n60c3 spa20n60c3 spp20n60c3 spi20n60c3 spa20n60c3 rev3.2.pdf

SPI20N60C3 SPI20N60C3

SPP20N60C3SPI20N60C3, SPA20N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technologyID 20.7 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21P-TO220-3-31 High peak current capability Improved transco

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
 spi20n60c3.pdf

SPI20N60C3 SPI20N60C3

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor SPI20N60C3FEATURESWith TO-262(I2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeHigh peak current capabilityImproved transconductance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

 5.1. Size:554K  infineon
 spi20n60cfd.pdf

SPI20N60C3 SPI20N60C3

SPI20N60CFDCI MOS Pwer TransistrVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.22 New revolutionary high voltage technologyID 20.7 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO262 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Intrinsic fast-recovery body diode Extreme low reverse recovery chargeQualifi

 7.1. Size:611K  infineon
 spp20n65c3 spa20n65c3 spi20n65c3.pdf

SPI20N60C3 SPI20N60C3

SPP20N65C3, SPA20N65C3SPI20N65C3Cool MOS Power TransistorV 650 VDSFeatureRDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technologyID 20.7 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO262 PG-TO220FP PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21P-TO220-3-31 High peak current capability Improved transconducta

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top