Справочник MOSFET. SPP03N60C3

 

SPP03N60C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPP03N60C3
   Маркировка: 03N60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SPP03N60C3

 

 

SPP03N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:593K  infineon
 spp03n60c3 spa03n60c3 spp03n60c3 spa03n60c3 .pdf

SPP03N60C3 SPP03N60C3

VDS Tjmax G FP G 3 21P-TO220-3-31 G ;-3-111

 ..2. Size:247K  inchange semiconductor
 spp03n60c3.pdf

SPP03N60C3 SPP03N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP03N60C3ISPP03N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 1.4Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONUltra low gate chargeUltra low current capabilityImproved transconductanceABSOLUTE MA

 6.1. Size:356K  infineon
 spp03n60s5.pdf

SPP03N60C3 SPP03N60C3

SPP03N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technologyID 3.2 A Ultra low gate chargePG-TO220 Periodic avalanche rated2 Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances321 Improved transconductanceP-TO220-3-1Type Package Ordering Code Marking03N60S5SPP03N60S5 PG-TO220 Q67040-S4

 6.2. Size:247K  inchange semiconductor
 spp03n60s5.pdf

SPP03N60C3 SPP03N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP03N60S5ISPP03N60S5FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 1.4Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONUltra low gate chargeUltra low effective capacitanceImproved transconductanceABSOLUTE

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top