BF545A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF545A

Тип транзистора: FET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0065 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 0.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1000 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для BF545A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF545A даташит

 ..1. Size:100K  philips
 bf545a.pdf pdf_icon

BF545A

 ..2. Size:69K  philips
 bf545a bf545b bf545c 2.pdf pdf_icon

BF545A

 ..3. Size:71K  philips
 bf545a bf545b bf545c.pdf pdf_icon

BF545A

BF545A; BF545B; BF545C N-channel silicon junction field-effect transistors Rev. 03 5 August 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package. CAUTION This device is sensitive to electrostatic discharge (ESD). Therefore care should be taken during transport and handling. MSC895 1.2

 9.1. Size:103K  motorola
 mmbf5457lt1rev0d.pdf pdf_icon

BF545A

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBF5457LT1/D JFET General Purpose MMBF5457LT1 Transistor N Channel 2 SOURCE 3 GATE 3 1 DRAIN 1 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit CASE 318 08, STYLE 10 SOT 23 (TO 236AB) Drain Source Voltage VDS 25 Vdc Drain Gate Voltage VDG 25 Vdc Reverse Gate Source Voltage VGS(r) 25 Vdc Gate Current IG 10

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BF410A, BF410B, BF410C, BF410D, BF510, BF511, BF512, BF513, 12N60, BF545B, BF545C, BF556A, BF556B, BF556C, BF805, BF861A, BF861B