SPP15N65C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPP15N65C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SPP15N65C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP15N65C3 даташит

 ..1. Size:253K  infineon
 spp15n65c3.pdf pdf_icon

SPP15N65C3

SPP15N65C3 CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V 650 V DS Low gate charge R 0.28 DS(on),max Extreme dv/dt rated Q 63 nC g,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant PG-TO220-3-1 CoolMOS C3 designed for Notebook Adapter Type Package Marking SPP15N65C3

 7.1. Size:700K  infineon
 spp15n60c3 spi15n60c3 spa15n60c3.pdf pdf_icon

SPP15N65C3

SPP15N60C3, SPI15N60C3 SPA15N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technology ID 15 A Ultra low gate charge PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111

 7.2. Size:537K  infineon
 spp15n60cfd.pdf pdf_icon

SPP15N65C3

SPP15N60CFD CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V @ Tjmax 650 V DS Intrinsic fast-recovery body diode R 0.330 DS(on),max Extremely low reverse recovery charge I 13.4 A D Ultra low gate charge Extreme dv /dt rated PG-TO220 High peak current capability Qualified for industrial grade applications according to JEDEC1) CoolMOS CFD designed fo

 7.3. Size:684K  infineon
 spp15n60c3 spi15n60c3 spa15n60c3 rev.3.2new.pdf pdf_icon

SPP15N65C3

SPP15N60C3, SPI15N60C3 SPA15N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technology ID 15 A Ultra low gate charge PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPP11N60C3, SPP11N60CFD, SPP11N60S5, SPP11N65C3, SPP11N80C3, SPP12N50C3, SPP15N60C3, SPP15N60CFD, AON7506, SPP15P10PG, SPP15P10PLH, SPP16N50C3, SPP17N80C3, SPP18P06PH, SPP20N60C3, SPP20N60CFD, SPP20N60S5