Справочник MOSFET. SPP16N50C3

 

SPP16N50C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPP16N50C3
   Маркировка: 16N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 66 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SPP16N50C3

 

 

SPP16N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:723K  infineon
 spp16n50c3 spi16n50c3 spa16n50c3 spp16n50c3 spi16n50c3 spa16n50c3 rev.3.2.pdf

SPP16N50C3 SPP16N50C3

SPP16N50C3SPI16N50C3, SPA16N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 16 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated2 Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances2 3211P-TO220-3-31 Improved transconductanceP-TO220-3-1

 ..2. Size:248K  inchange semiconductor
 spp16n50c3.pdf

SPP16N50C3 SPP16N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP16N50C3ISPP16N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 280mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONNew revolutionary high voltage technologyUltra low effective capacitanceABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top