SPP16N50C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPP16N50C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SPP16N50C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP16N50C3 даташит

 ..1. Size:723K  infineon
 spp16n50c3 spi16n50c3 spa16n50c3 spp16n50c3 spi16n50c3 spa16n50c3 rev.3.2.pdf pdf_icon

SPP16N50C3

 ..2. Size:248K  inchange semiconductor
 spp16n50c3.pdf pdf_icon

SPP16N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP16N50C3 ISPP16N50C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 280m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION New revolutionary high voltage technology Ultra low effective capacitance ABSOLUTE MAXIMUM

Другие IGBT... SPP11N65C3, SPP11N80C3, SPP12N50C3, SPP15N60C3, SPP15N60CFD, SPP15N65C3, SPP15P10PG, SPP15P10PLH, TK10A60D, SPP17N80C3, SPP18P06PH, SPP20N60C3, SPP20N60CFD, SPP20N60S5, SPP20N65C3, SPP21N50C3, SPP24N60C3