Справочник MOSFET. SPP16N50C3

 

SPP16N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPP16N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SPP16N50C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP16N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:723K  infineon
 spp16n50c3 spi16n50c3 spa16n50c3 spp16n50c3 spi16n50c3 spa16n50c3 rev.3.2.pdf pdf_icon

SPP16N50C3

SPP16N50C3SPI16N50C3, SPA16N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 16 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated2 Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances2 3211P-TO220-3-31 Improved transconductanceP-TO220-3-1

 ..2. Size:248K  inchange semiconductor
 spp16n50c3.pdf pdf_icon

SPP16N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP16N50C3ISPP16N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 280mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONNew revolutionary high voltage technologyUltra low effective capacitanceABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... SPP11N65C3 , SPP11N80C3 , SPP12N50C3 , SPP15N60C3 , SPP15N60CFD , SPP15N65C3 , SPP15P10PG , SPP15P10PLH , IRFZ24N , SPP17N80C3 , SPP18P06PH , SPP20N60C3 , SPP20N60CFD , SPP20N60S5 , SPP20N65C3 , SPP21N50C3 , SPP24N60C3 .

History: 2SJ161 | IRFY110 | SP8K80 | VS3604AT | 2SK2666 | UTT10N10 | TSM3N80CP

 

 
Back to Top

 


 
.