SPP20N60C3 datasheet, аналоги, параметры транзистора

SPP20N60C3 datasheet, аналоги, основные параметры

SPP20N60C3 - это N-канальный MOSFET, созданный для коммутации высокого напряжения. Его ключевая особенность - способность работать в схемах до 600 вольт при значительном токе до 20 ампер.

Основное назначение:

Импульсные блоки питания (SMPS).
Схемы коррекции коэффициента мощности (PFC).
Инверторы и преобразователи.
Драйверы высоковольтных двигателей.

Ключевые особенности:

Низкое сопротивление открытого канала для транзистора такого класса напряжения.
Высокая скорость переключения.
Высокая лавинная стойкость (устойчивость к кратковременным выбросам напряжения).

Преимущества:

Возможность работы с напряжением 600 В.
Низкие потери как в проводящем состоянии, так и при переключении.
Хорошая устойчивость к переходным процессам и перенапряжениям.
Доступен в стандартных силовых корпусах, что облегчает поиск и замену.

Недостатки и ограничения:

Относительно высокий заряд затвора по сравнению с низковольтными MOSFET. Для управления требуется мощный драйвер.
Эффективность может снижаться на очень высоких частотах переключения.

Практические советы по применению и ремонту:

Используйте драйвер затвора, способный обеспечить достаточное напряжение и ток для быстрого переключения.
При разводке платы минимизируйте паразитную индуктивность силовых цепей.
Применяйте снабберные цепи или ограничители для подавления опасных выбросов напряжения.
При замене транзистора или изменении схемы всегда проверяйте тепловой режим работы, чтобы избежать перегрева и повреждения.

Наименование производителя: SPP20N60C3 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SPP20N60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SPP20N60C3 даташит

..1. Size:683K infineon
spp20n60c3 spi20n60c3 spa20n60c3 spp20n60c3 spi20n60c3 spa20n60c3 rev3.2.pdf pdf_icon

SPP20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technology ID 20.7 A Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated 3 Extreme dv/dt rated 2 1 P-TO220-3-31 High peak current capability Improved transco

..2. Size:247K inchange semiconductor
spp20n60c3.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP20N60C3 ISPP20N60C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.19 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Ultra low gate charge High peak current capability Improved transconductance ABSOLUTE M

5.1. Size:643K infineon
spp20n60cfd.pdf pdf_icon

SPP20N60CFD C I MOS P wer Transist r VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.22 New revolutionary high voltage technology ID 20.7 A Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Intrinsic fast-recovery body diode Extreme low reverse recovery charge Type Pa

5.2. Size:247K inchange semiconductor
spp20n60cfd.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP20N60CFD ISPP20N60CFD FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.22 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Ultra low gate charge High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a