SPS02N60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPS02N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO251-SL

Аналог (замена) для SPS02N60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPS02N60C3 даташит

 ..1. Size:1186K  infineon
 sps02n60c3.pdf pdf_icon

SPS02N60C3

S VDS Tjmax G 1-3-11 S G -3-11

Другие IGBT... SPP20N60CFD, SPP20N60S5, SPP20N65C3, SPP21N50C3, SPP24N60C3, SPP24N60CFD, SPP80P06PH, SPS01N60C3, 18N50, SPS03N60C3, SPS04N60C3, SPU01N60C3, SPU02N60C3, SPU02N60S5, SPU03N60C3, SPU03N60S5, SPU04N60C3