Справочник MOSFET. BF545C

 

BF545C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BF545C
   Тип транзистора: FET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.025 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для BF545C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF545C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  philips
bf545a bf545b bf545c 2.pdfpdf_icon

BF545C

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF545A; BF545B; BF545CN-channel silicon junctionfield-effect transistorsProduct specification 1996 Jul 29Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon junctionBF545A; BF545B; BF545Cfield-effect transistorsFEATURES Low leakage level (typ. 500 fA)

 ..2. Size:71K  philips
bf545a bf545b bf545c.pdfpdf_icon

BF545C

BF545A; BF545B; BF545CN-channel silicon junction field-effect transistorsRev. 03 5 August 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package.CAUTIONThis device is sensitive to electrostatic discharge (ESD). Therefore care should be takenduring transport and handling.MSC8951.2

 9.1. Size:103K  motorola
mmbf5457lt1rev0d.pdfpdf_icon

BF545C

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBF5457LT1/DJFET General PurposeMMBF5457LT1TransistorNChannel2 SOURCE3GATE31 DRAIN12MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit CASE 31808, STYLE 10SOT23 (TO236AB)DrainSource Voltage VDS 25 VdcDrainGate Voltage VDG 25 VdcReverse GateSource Voltage VGS(r) 25 VdcGate Current IG 10

 9.2. Size:100K  philips
bf545a.pdfpdf_icon

BF545C

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF545A; BF545B; BF545CN-channel silicon junctionfield-effect transistorsProduct specification 1996 Jul 29Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon junctionBF545A; BF545B; BF545Cfield-effect transistorsFEATURES Low leakage level (typ. 500 fA)

Другие MOSFET... BF410C , BF410D , BF510 , BF511 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B , IRFP250 , BF556A , BF556B , BF556C , BF805 , BF861A , BF861B , BF861C , BF862 .

 

 
Back to Top

 


 
.