BF545C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF545C  📄📄 

Тип транзистора: FET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.025 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 0.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BF545C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF545C даташит

 ..1. Size:69K  philips
bf545a bf545b bf545c 2.pdfpdf_icon

BF545C

 ..2. Size:71K  philips
bf545a bf545b bf545c.pdfpdf_icon

BF545C

BF545A; BF545B; BF545C N-channel silicon junction field-effect transistors Rev. 03 5 August 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package. CAUTION This device is sensitive to electrostatic discharge (ESD). Therefore care should be taken during transport and handling. MSC895 1.2

 9.1. Size:103K  motorola
mmbf5457lt1rev0d.pdfpdf_icon

BF545C

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBF5457LT1/D JFET General Purpose MMBF5457LT1 Transistor N Channel 2 SOURCE 3 GATE 3 1 DRAIN 1 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit CASE 318 08, STYLE 10 SOT 23 (TO 236AB) Drain Source Voltage VDS 25 Vdc Drain Gate Voltage VDG 25 Vdc Reverse Gate Source Voltage VGS(r) 25 Vdc Gate Current IG 10

 9.2. Size:100K  philips
bf545a.pdfpdf_icon

BF545C

Другие IGBT... BF410C, BF410D, BF510, BF511, BF512, BF513, BF545A, BF545B, IRF1010E, BF556A, BF556B, BF556C, BF805, BF861A, BF861B, BF861C, BF862