Справочник MOSFET. SPU01N60C3

 

SPU01N60C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPU01N60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SPU01N60C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPU01N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  1
 spd01n60c3 spu01n60c3.pdf pdf_icon

SPU01N60C3

SPU01N60C3Rev. 2.0SPD01N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 6 New revolutionary high voltage technologyID 0.8 A Ultra low gate chargeP-TO252 P-TO251-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPU01N60C3 P-TO251-3-1 Q6

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 spu01n60c3.pdf pdf_icon

SPU01N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPU01N60C3FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Другие MOSFET... SPP21N50C3 , SPP24N60C3 , SPP24N60CFD , SPP80P06PH , SPS01N60C3 , SPS02N60C3 , SPS03N60C3 , SPS04N60C3 , IRFB31N20D , SPU02N60C3 , SPU02N60S5 , SPU03N60C3 , SPU03N60S5 , SPU04N60C3 , SPU04N60S5 , SPU07N60C3 , SPU07N60S5 .

History: 2SK2541 | KO6401-HF | HY029N10P

 

 
Back to Top

 


 
.