SPU01N60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPU01N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SPU01N60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPU01N60C3 даташит

 ..1. Size:276K  1
 spd01n60c3 spu01n60c3.pdf pdf_icon

SPU01N60C3

SPU01N60C3 Rev. 2.0 SPD01N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 6 New revolutionary high voltage technology ID 0.8 A Ultra low gate charge P-TO252 P-TO251-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPU01N60C3 P-TO251-3-1 Q6

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 spu01n60c3.pdf pdf_icon

SPU01N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPU01N60C3 FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие IGBT... SPP21N50C3, SPP24N60C3, SPP24N60CFD, SPP80P06PH, SPS01N60C3, SPS02N60C3, SPS03N60C3, SPS04N60C3, IRF2807, SPU02N60C3, SPU02N60S5, SPU03N60C3, SPU03N60S5, SPU04N60C3, SPU04N60S5, SPU07N60C3, SPU07N60S5