Справочник MOSFET. SPU04N60S5

 

SPU04N60S5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPU04N60S5
   Маркировка: 04N60S5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SPU04N60S5

 

 

SPU04N60S5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  1
 spd04n60s5 spu04n60s5.pdf

SPU04N60S5 SPU04N60S5

SPU04N60S5SPD04N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technologyID 4.5 A Ultra low gate chargeP-TO252. P-TO251. Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated23 Ultra low effective capacitances3121 Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking04N60S5SPU04N60S5 P-T

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 spu04n60s5.pdf

SPU04N60S5 SPU04N60S5

isc N-Channel MOSFET Transistor SPU04N60S5FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. Size:744K  infineon
 spd04n60c3 spu04n60c3.pdf

SPU04N60S5 SPU04N60S5

VDS Tjmax G G G G

 6.2. Size:853K  cn vbsemi
 spu04n60c3.pdf

SPU04N60S5 SPU04N60S5

SPU04N60C3www.VBsemi.twN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650RequirementRoHSRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0COMPLIANT Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 48RuggednessQgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 19 Compli

 6.3. Size:208K  inchange semiconductor
 spu04n60c3.pdf

SPU04N60S5 SPU04N60S5

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor SPU04N60C3FEATURESWith To-251(IPAK) packageNew revolutionary high voltage technologyUltra low gate chargeHigh peak current capabilityImproved transconductance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsA

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top