SPW11N60C3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SPW11N60C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SPW11N60C3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SPW11N60C3 даташит
spw11n60c3.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor SPW11N60C3 ISPW11N60C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 380m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNI
spw11n60cfd.pdf
SPW11N60CFD C I MOS P wer TransIst r VDS @ Tjmax 650 V DS Feature RDS(on) 0.44 New revolutionary high voltage technology ID 11 A 11 Ultra low gate charge PG-TO247 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated /d High peak current capability Intrinsic fast-recovery body diode Extreme low reverse recovery charge 0) Qualified for industrial grade
spw11n60cfd.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor SPW11N60CFD ISPW11N60CFD FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 440m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN
Другие IGBT... SPU02N60S5, SPU03N60C3, SPU03N60S5, SPU04N60C3, SPU04N60S5, SPU07N60C3, SPU07N60S5, SPW07N60CFD, IRF1405, SPW11N60CFD, SPW11N60S5, SPW11N80C3, SPW12N50C3, SPW15N60C3, SPW15N60CFD, SPW16N50C3, SPW17N80C3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640



