SPW17N80C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPW17N80C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SPW17N80C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW17N80C3 даташит

 ..1. Size:505K  infineon
 spw17n80c3.pdf pdf_icon

SPW17N80C3

SPW17N80C3 CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V 800 V DS New revolutionary high voltage technology R @ Tj = 25 C 0.29 DS(on)max Extreme dv/dt rated Q 88 nC g,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TO247-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low eff

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 spw17n80c3.pdf pdf_icon

SPW17N80C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW17N80C3 ISPW17N80C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 290m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltag

Другие IGBT... SPW11N60C3, SPW11N60CFD, SPW11N60S5, SPW11N80C3, SPW12N50C3, SPW15N60C3, SPW15N60CFD, SPW16N50C3, AON7403, SPW20N60C3, SPW20N60CFD, SPW20N60S5, SPW21N50C3, SPW24N60C3, SPW24N60CFD, SPW32N50C3, SPW35N60C3