SPW17N80C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPW17N80C3
Маркировка: 17N80C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 227 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 88 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 94 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.29 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SPW17N80C3
SPW17N80C3 Datasheet (PDF)
spw17n80c3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SPW17N80C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS New revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 0.29DS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 88 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TO247-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low eff
spw17n80c3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor SPW17N80C3ISPW17N80C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)290mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION High peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltag
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .