Справочник MOSFET. SPW17N80C3

 

SPW17N80C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPW17N80C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SPW17N80C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW17N80C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  infineon
 spw17n80c3.pdf pdf_icon

SPW17N80C3

SPW17N80C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS New revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 0.29DS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 88 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TO247-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low eff

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 spw17n80c3.pdf pdf_icon

SPW17N80C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW17N80C3ISPW17N80C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)290mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION High peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltag

Другие MOSFET... SPW11N60C3 , SPW11N60CFD , SPW11N60S5 , SPW11N80C3 , SPW12N50C3 , SPW15N60C3 , SPW15N60CFD , SPW16N50C3 , EMB04N03H , SPW20N60C3 , SPW20N60CFD , SPW20N60S5 , SPW21N50C3 , SPW24N60C3 , SPW24N60CFD , SPW32N50C3 , SPW35N60C3 .

History: AP75T10GP | NCEP40P65QU | 2SK655 | PM516BZ | P5015BD | HGP130N12SL

 

 
Back to Top

 


 
.