SPW20N60CFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPW20N60CFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SPW20N60CFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW20N60CFD даташит

 ..1. Size:2950K  infineon
 spw20n60cfd.pdf pdf_icon

SPW20N60CFD

Please note the new package dimensions arccording to PCN 2009 1 4 A Please note the new package dimensions arccording to PCN 2009 1 4 A Please note the new package dimensions arccording to PCN 2009 1 4 A Please note the new package dimensions arccording to PCN 2009 1 4 A Please note the new package dimensions arccording to PCN 2009 1 4 A Please note the new package

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 spw20n60cfd.pdf pdf_icon

SPW20N60CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW20N60CFD, ISPW20N60CFD FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 220m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt

 5.1. Size:765K  infineon
 spw20n60c3.pdf pdf_icon

SPW20N60CFD

VDS Tjmax G G-TO247

 5.2. Size:269K  inchange semiconductor
 spw20n60c3.pdf pdf_icon

SPW20N60CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW20N60C3 ISPW20N60C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 190m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPW11N60S5, SPW11N80C3, SPW12N50C3, SPW15N60C3, SPW15N60CFD, SPW16N50C3, SPW17N80C3, SPW20N60C3, EMB04N03H, SPW20N60S5, SPW21N50C3, SPW24N60C3, SPW24N60CFD, SPW32N50C3, SPW35N60C3, SPW35N60CFD, SPW47N60C3