Справочник MOSFET. SPW21N50C3

 

SPW21N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPW21N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SPW21N50C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW21N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  infineon
 spw21n50c3.pdf pdf_icon

SPW21N50C3

VDS Tjmax G G

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
 spw21n50c3.pdf pdf_icon

SPW21N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW21N50C3ISPW21N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)190mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 50

Другие MOSFET... SPW12N50C3 , SPW15N60C3 , SPW15N60CFD , SPW16N50C3 , SPW17N80C3 , SPW20N60C3 , SPW20N60CFD , SPW20N60S5 , 2N7002 , SPW24N60C3 , SPW24N60CFD , SPW32N50C3 , SPW35N60C3 , SPW35N60CFD , SPW47N60C3 , SPW47N60CFD , SPW47N65C3 .

History: IXFX64N50P | SIHFP048R | AOK8N80

 

 
Back to Top

 


 
.