SPW24N60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPW24N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SPW24N60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW24N60C3 даташит

 ..1. Size:807K  infineon
 spw24n60c3.pdf pdf_icon

SPW24N60C3

SPW24N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.16 New revolutionary high voltage technology ID 24.3 A Ultra low gate charge PG-TO247 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPW24N60C3 PG-TO247 Q67040-S4640 24N60C3 Maximum Rati

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
 spw24n60c3.pdf pdf_icon

SPW24N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW24N60C3 ISPW24N60C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 160m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage

 5.1. Size:678K  infineon
 spw24n60cfd.pdf pdf_icon

SPW24N60C3

SPW24N60CFD TM C IMOSTM "9@/; %;+877+;B Features V 1?B6M 650 V !0 V &CIG>CH>8 ;6HI G 8DK GN 7D9N 9>D9 R 0.185 DS(on) max V "MIG B AN ADL G K GH G 8DK GN 8=6G;> 9 688DG9>CC

 5.2. Size:244K  inchange semiconductor
 spw24n60cfd.pdf pdf_icon

SPW24N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW24N60CFD ISPW24N60CFD FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 185m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPW15N60C3, SPW15N60CFD, SPW16N50C3, SPW17N80C3, SPW20N60C3, SPW20N60CFD, SPW20N60S5, SPW21N50C3, AOD4184A, SPW24N60CFD, SPW32N50C3, SPW35N60C3, SPW35N60CFD, SPW47N60C3, SPW47N60CFD, SPW47N65C3, SPW52N50C3