Справочник MOSFET. SPW24N60CFD

 

SPW24N60CFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPW24N60CFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SPW24N60CFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW24N60CFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:678K  infineon
spw24n60cfd.pdfpdf_icon

SPW24N60CFD

SPW24N60CFDTMCIMOSTM "9@/; %;+877+;BFeaturesV 1?B6M 650 V!0 V &CIG>CH>8 ;6HI G:8DK:GN 7D9N 9>D9:R 0.185DS(on) maxV "MIG:B:AN ADL G:K:GH: G:8DK:GN 8=6G;>:9 688DG9>CC

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
spw24n60cfd.pdfpdf_icon

SPW24N60CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW24N60CFDISPW24N60CFDFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)185mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

 5.1. Size:807K  infineon
spw24n60c3.pdfpdf_icon

SPW24N60CFD

SPW24N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.16 New revolutionary high voltage technologyID 24.3 A Ultra low gate chargePG-TO247 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPW24N60C3 PG-TO247 Q67040-S4640 24N60C3Maximum Rati

 5.2. Size:244K  inchange semiconductor
spw24n60c3.pdfpdf_icon

SPW24N60CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW24N60C3ISPW24N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)160mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage

Другие MOSFET... SPW15N60CFD , SPW16N50C3 , SPW17N80C3 , SPW20N60C3 , SPW20N60CFD , SPW20N60S5 , SPW21N50C3 , SPW24N60C3 , AO3407 , SPW32N50C3 , SPW35N60C3 , SPW35N60CFD , SPW47N60C3 , SPW47N60CFD , SPW47N65C3 , SPW52N50C3 , IRF1010EZ .

History: BUK457-400A | GP1M003A090XX | DMN53D0LDW | NCE65NF099T

 

 
Back to Top

 


 
.