Справочник MOSFET. SPW24N60CFD

 

SPW24N60CFD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPW24N60CFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 21.7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 24 ns
   Выходная емкость (Cd): 900 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.185 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPW24N60CFD

 

 

SPW24N60CFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:678K  infineon
spw24n60cfd.pdf

SPW24N60CFD SPW24N60CFD

SPW24N60CFDTMCIMOSTM "9@/; %;+877+;BFeaturesV 1?B6M 650 V!0 V &CIG>CH>8 ;6HI G:8DK:GN 7D9N 9>D9:R 0.185DS(on) maxV "MIG:B:AN ADL G:K:GH: G:8DK:GN 8=6G;>:9 688DG9>CC

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
spw24n60cfd.pdf

SPW24N60CFD SPW24N60CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW24N60CFDISPW24N60CFDFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)185mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

 5.1. Size:807K  infineon
spw24n60c3.pdf

SPW24N60CFD SPW24N60CFD

SPW24N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.16 New revolutionary high voltage technologyID 24.3 A Ultra low gate chargePG-TO247 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPW24N60C3 PG-TO247 Q67040-S4640 24N60C3Maximum Rati

 5.2. Size:244K  inchange semiconductor
spw24n60c3.pdf

SPW24N60CFD SPW24N60CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW24N60C3ISPW24N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)160mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top