IRF1010EZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF1010EZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
IRF1010EZ Datasheet (PDF)
irf1010ezpbf irf1010ezspbf irf1010ezlpbf.pdf

PD - 95483CIRF1010EZPbFIRF1010EZSPbFIRF1010EZLPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 8.5m Lead-FreeGID = 75ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing tech
irf1010ezlpbf irf1010ezpbf irf1010ezspbf.pdf

PD - 95483CIRF1010EZPbFIRF1010EZSPbFIRF1010EZLPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 8.5m Lead-FreeGID = 75ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing tech
irf1010ez.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010EZIIRF1010EZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
auirf1010ezstrl.pdf

PD - 95962AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1010EZAUIRF1010EZSAUIRF1010EZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceDV(BR)DSS60V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max.8.5m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGID (Silicon Limited)84A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Limited)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1505ATL | JMSH1504NTL | JMSH1504NS | JMSH1504NE7 | JMSH1504NE | JMSH1504NC | JMSH1504CTL | JMSH1504ATLQ | JMSH1504ATL | JMSH1504ASQ | JMSH1504AS | JMSH1504AEQ | JMSH1504AE7 | JMSH1504AE | JMSH1504AC | JMSH0603PK
Popular searches
ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055