Справочник MOSFET. IRF1010EZ

 

IRF1010EZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF1010EZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1010EZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  international rectifier
irf1010ezpbf irf1010ezspbf irf1010ezlpbf.pdfpdf_icon

IRF1010EZ

PD - 95483CIRF1010EZPbFIRF1010EZSPbFIRF1010EZLPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 8.5m Lead-FreeGID = 75ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing tech

 ..2. Size:407K  international rectifier
irf1010ezlpbf irf1010ezpbf irf1010ezspbf.pdfpdf_icon

IRF1010EZ

PD - 95483CIRF1010EZPbFIRF1010EZSPbFIRF1010EZLPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 8.5m Lead-FreeGID = 75ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing tech

 ..3. Size:245K  inchange semiconductor
irf1010ez.pdfpdf_icon

IRF1010EZ

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010EZIIRF1010EZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 0.1. Size:375K  international rectifier
auirf1010ezstrl.pdfpdf_icon

IRF1010EZ

PD - 95962AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1010EZAUIRF1010EZSAUIRF1010EZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceDV(BR)DSS60V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max.8.5m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGID (Silicon Limited)84A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Limited)

Другие MOSFET... SPW24N60CFD , SPW32N50C3 , SPW35N60C3 , SPW35N60CFD , SPW47N60C3 , SPW47N60CFD , SPW47N65C3 , SPW52N50C3 , 20N60 , IRF1010EZL , IRF1010EZS , IRF1010Z , IRF1010ZL , IRF1010ZS , IRF1018E , IRF1018ES , IRF1018ESL .

History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT

 

 
Back to Top

 


 
.