IRF1018ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF1018ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRF1018ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1018ES даташит

 ..1. Size:429K  international rectifier
 irf1018epbf irf1018eslpbf irf1018espbf.pdf pdf_icon

IRF1018ES

PD - 97125 IRF1018EPbF IRF1018ESPbF IRF1018ESLPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in D SMPS VDSS 60V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 7.1m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 8.4m ID 79A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness D D D l

 ..2. Size:429K  international rectifier
 irf1018epbf irf1018espbf irf1018eslpbf.pdf pdf_icon

IRF1018ES

PD - 97125 IRF1018EPbF IRF1018ESPbF IRF1018ESLPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in D SMPS VDSS 60V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 7.1m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 8.4m ID 79A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness D D D l

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
 irf1018es.pdf pdf_icon

IRF1018ES

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1018ES FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

 0.1. Size:658K  infineon
 auirf1018es.pdf pdf_icon

IRF1018ES

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1018ES HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. Ultra Low On-Resistance 7.1m 175 C Operating Temperature max. 8.4m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 79A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description Specifically designed fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPW52N50C3, IRF1010EZ, IRF1010EZL, IRF1010EZS, IRF1010Z, IRF1010ZL, IRF1010ZS, IRF1018E, IRF640, IRF1018ESL, IRF1104L, IRF1104S, IRF1324, IRF1324L, IRF1324S, IRF1324S-7P, IRF1404L