IRF1018ESL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF1018ESL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IRF1018ESL
IRF1018ESL Datasheet (PDF)
irf1018epbf irf1018eslpbf irf1018espbf.pdf

PD - 97125IRF1018EPbFIRF1018ESPbFIRF1018ESLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification inDSMPSVDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.7.1m:l High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuits Gmax. 8.4m:ID 79ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt RuggednessDDDl
irf1018epbf irf1018espbf irf1018eslpbf.pdf

PD - 97125IRF1018EPbFIRF1018ESPbFIRF1018ESLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification inDSMPSVDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.7.1m:l High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuits Gmax. 8.4m:ID 79ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt RuggednessDDDl
auirf1018es.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1018ES HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. Ultra Low On-Resistance 7.1m 175C Operating Temperature max. 8.4m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 79A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description Specifically designed fo
irf1018es.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1018ESFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol
Другие MOSFET... IRF1010EZ , IRF1010EZL , IRF1010EZS , IRF1010Z , IRF1010ZL , IRF1010ZS , IRF1018E , IRF1018ES , IRF1404 , IRF1104L , IRF1104S , IRF1324 , IRF1324L , IRF1324S , IRF1324S-7P , IRF1404L , IRF1404S .
History: IRHSNA57Z60 | IRF840S | 2SK3797 | SPW47N65C3
History: IRHSNA57Z60 | IRF840S | 2SK3797 | SPW47N65C3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTP330N06D | JMTP3010D | JMTP3008A | JMTP260N03D | JMTP250P03A | JMTP240N03D | JMTP240C03D | JMTP230C04D | JMTP170N06D | JMTP170N06A | JMTP170C04D | JMTP160P03D | JMTP130P04A | JMTP130N04A | JMTP120C03D | JMTL3134KT7
Popular searches
irfp260n | 2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet