Справочник MOSFET. IRF1902

 

IRF1902 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF1902
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7(min) V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF1902

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1902 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  international rectifier
 irf1902.pdf pdf_icon

IRF1902

PD - 94282AIRF1902HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) N-Channel MOSFET20V 85@VGS = 4.5V 4.0A Surface Mount170@VGS = 2.7V 3.2A Available in Tape & ReelAADescription 1 8S DThese N-Channel HEXFET power MOSFETs from2 7S DInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the extr

 ..2. Size:134K  international rectifier
 irf1902pbf.pdf pdf_icon

IRF1902

PD - 95496IRF1902PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl N-Channel MOSFET20V 85@VGS = 4.5V 4.0Al Surface Mount170@VGS = 2.7V 3.2Al Available in Tape & Reell Lead-FreeAADescription 1 8S DThese N-Channel HEXFET power MOSFETs from2 7S DInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the extremely lo

Другие MOSFET... IRF1405ZS , IRF1405ZS-7P , IRF1407 , IRF1407L , IRF1407S , IRF1503 , IRF1503S , IRF1607 , 8205A , IRF2204 , IRF2204L , IRF2204S , IRF2804 , IRF2804L , IRF2804S , IRF2804S-7P , IRF2805 .

 

 
Back to Top

 


 
.