IRF1902. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF1902

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IRF1902

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1902 даташит

 ..1. Size:107K  international rectifier
 irf1902.pdf pdf_icon

IRF1902

PD - 94282A IRF1902 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance ) VDSS RDS(on) max (m ) ID ) ) ) N-Channel MOSFET 20V 85@VGS = 4.5V 4.0A Surface Mount 170@VGS = 2.7V 3.2A Available in Tape & Reel A A Description 1 8 S D These N-Channel HEXFET power MOSFETs from 2 7 S D International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extr

 ..2. Size:134K  international rectifier
 irf1902pbf.pdf pdf_icon

IRF1902

PD - 95496 IRF1902PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l N-Channel MOSFET 20V 85@VGS = 4.5V 4.0A l Surface Mount 170@VGS = 2.7V 3.2A l Available in Tape & Reel l Lead-Free A A Description 1 8 S D These N-Channel HEXFET power MOSFETs from 2 7 S D International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely lo

Другие IGBT... IRF1405ZS, IRF1405ZS-7P, IRF1407, IRF1407L, IRF1407S, IRF1503, IRF1503S, IRF1607, IRFP260, IRF2204, IRF2204L, IRF2204S, IRF2804, IRF2804L, IRF2804S, IRF2804S-7P, IRF2805