IRF2903ZS - описание и поиск аналогов

 

IRF2903ZS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF2903ZS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 235 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1980 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRF2903ZS

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2903ZS даташит

 ..1. Size:346K  international rectifier
 irf2903zlpbf irf2903zspbf.pdf pdf_icon

IRF2903ZS

PD - 96098A IRF2903ZSPbF IRF2903ZLPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 30V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 2.4m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G l Lead-Free ID = 75A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest D D processing techniques to achieve extremel

 ..2. Size:204K  inchange semiconductor
 irf2903zs.pdf pdf_icon

IRF2903ZS

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2903ZS FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMU

 0.1. Size:705K  infineon
 auirf2903zs auirf2903zl.pdf pdf_icon

IRF2903ZS

AUIRF2903ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2903ZL Features VDSS 30V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 1.9m Ultra Low On-Resistance max. 2.4m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 235A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 160A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualifie

 6.1. Size:287K  international rectifier
 irf2903zpbf.pdf pdf_icon

IRF2903ZS

PD -96097A IRF2903ZPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 30V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 2.4m G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free ID = 75A S Description D This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF2805 , IRF2805L , IRF2805S , IRF2807Z , IRF2807ZL , IRF2807ZS , IRF2903Z , IRF2903ZL , STP80NF70 , IRF2907Z , IRF2907ZL , IRF2907ZS , IRF2907ZS-7P , IRF3007 , IRF3007L , IRF3007S , IRF3205Z .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.