IRF2907ZS - аналоги и даташиты транзистора

 

IRF2907ZS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF2907ZS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRF2907ZS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2907ZS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  international rectifier
 irf2907zpbf irf2907zspbf irf2907zlpbf.pdf pdf_icon

IRF2907ZS

PD - 95489DIRF2907ZPbFIRF2907ZSPbFIRF2907ZLPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 75Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 4.5mGl Lead-FreeID = 160ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achie

 ..2. Size:420K  international rectifier
 irf2907zlpbf irf2907zpbf irf2907zspbf.pdf pdf_icon

IRF2907ZS

PD - 95489DIRF2907ZPbFIRF2907ZSPbFIRF2907ZLPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 75Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 4.5mGl Lead-FreeID = 160ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achie

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
 irf2907zs.pdf pdf_icon

IRF2907ZS

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2907ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

 0.1. Size:293K  international rectifier
 auirf2907zs-7p.pdf pdf_icon

IRF2907ZS

PD - 96321AUTOMOTIVE GRADEAUIRF2907ZS-7PHEXFET Power MOSFETFeaturesDV(BR)DSS75Vl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.3.0ml 175C Operating TemperatureGl Fast Switchingmax. 3.8mSl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxS (Pin 2, 3, 5, 6, 7)ID (Silicon Limited)180A l Lead-Free, RoHS CompliantG (Pin 1)l Automot

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF2807Z , IRF2807ZL , IRF2807ZS , IRF2903Z , IRF2903ZL , IRF2903ZS , IRF2907Z , IRF2907ZL , IRFP450 , IRF2907ZS-7P , IRF3007 , IRF3007L , IRF3007S , IRF3205Z , IRF3205ZL , IRF3205ZS , IRF3305 .

History: IXFR24N50 | KF5N60P | IXFQ22N60P3 | SPW47N65C3 | MDF16N50GTH | BLF6G15L-500H | IRF3704Z

 

 
Back to Top

 


 
.