IRF2907ZS - описание и поиск аналогов

 

IRF2907ZS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF2907ZS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRF2907ZS

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2907ZS даташит

 ..1. Size:420K  international rectifier
 irf2907zpbf irf2907zspbf irf2907zlpbf.pdf pdf_icon

IRF2907ZS

PD - 95489D IRF2907ZPbF IRF2907ZSPbF IRF2907ZLPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D VDSS = 75V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 4.5m G l Lead-Free ID = 160A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achie

 ..2. Size:420K  international rectifier
 irf2907zlpbf irf2907zpbf irf2907zspbf.pdf pdf_icon

IRF2907ZS

PD - 95489D IRF2907ZPbF IRF2907ZSPbF IRF2907ZLPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D VDSS = 75V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 4.5m G l Lead-Free ID = 160A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achie

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
 irf2907zs.pdf pdf_icon

IRF2907ZS

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2907ZS FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

 0.1. Size:293K  international rectifier
 auirf2907zs-7p.pdf pdf_icon

IRF2907ZS

PD - 96321 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2907ZS-7P HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS 75V l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 3.0m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching max. 3.8m S l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S (Pin 2, 3, 5, 6, 7) ID (Silicon Limited) 180A l Lead-Free, RoHS Compliant G (Pin 1) l Automot

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF2807Z , IRF2807ZL , IRF2807ZS , IRF2903Z , IRF2903ZL , IRF2903ZS , IRF2907Z , IRF2907ZL , AO4407 , IRF2907ZS-7P , IRF3007 , IRF3007L , IRF3007S , IRF3205Z , IRF3205ZL , IRF3205ZS , IRF3305 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.