IRF3007L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF3007L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0126 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IRF3007L
IRF3007L даташит
irf3007spbf irf3007lpbf.pdf
PD - 95494A IRF3007SPbF IRF3007LPbF Typical Applications l Industrial Motor Drive HEXFET Power MOSFET Features D VDSS = 75V l Ultra Low On-Resistance l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.0126 G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free ID = 62A S Description This design of HEXFET Power MOSFETs utilizes the lastest processing technique
irf3007l.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3007L FEATURES With To-262 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 75
irf3007.pdf
PD -94424A AUTOMOTIVE MOSFET IRF3007 Typical Applications HEXFET Power MOSFET 42 Volts Automotive Electrical Systems D Features VDSS = 75V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.0126 Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Automotive [Q101] Qualified ID = 75A S Description Specifically designed for Autom
irf3007pbf.pdf
PD -95618A IRF3007PbF Typical Applications HEXFET Power MOSFET l Industrial Motor Drive D Features VDSS = 75V l Ultra Low On-Resistance l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.0126 l Fast Switching G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free ID = 75A S Description This design of HEXFET Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve
Другие MOSFET... IRF2903Z , IRF2903ZL , IRF2903ZS , IRF2907Z , IRF2907ZL , IRF2907ZS , IRF2907ZS-7P , IRF3007 , IRFP250 , IRF3007S , IRF3205Z , IRF3205ZL , IRF3205ZS , IRF3305 , IRF3515L , IRF3610S , IRF3703 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110




