IRF3205Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF3205Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF3205Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3205Z даташит

 ..1. Size:379K  international rectifier
 irf3205zpbf irf3205zlpbf irf3205zspbf.pdf pdf_icon

IRF3205Z

PD - 95129A IRF3205ZPbF IRF3205ZSPbF IRF3205ZLPbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 6.5m l Lead-Free G Description ID = 75A S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve e

 ..2. Size:303K  international rectifier
 irf3205z irf3205zs irf3205zl.pdf pdf_icon

IRF3205Z

PD - 94653B IRF3205Z AUTOMOTIVE MOSFET IRF3205ZS IRF3205ZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 6.5m G Description ID = 75A Specifically designed for Automotive applications, S this HEXFET Power MOS

 ..3. Size:181K  international rectifier
 irf3205z.pdf pdf_icon

IRF3205Z

PD - 94653 AUTOMOTIVE MOSFET IRF3205Z HEXFET Power MOSFET Features D Advanced Process Technology VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) = 6.5m Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID = 75A S Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest

 ..4. Size:379K  international rectifier
 irf3205zpbf irf3205zspbf irf3205zlpbf.pdf pdf_icon

IRF3205Z

PD - 95129A IRF3205ZPbF IRF3205ZSPbF IRF3205ZLPbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 6.5m l Lead-Free G Description ID = 75A S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve e

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF2903ZS, IRF2907Z, IRF2907ZL, IRF2907ZS, IRF2907ZS-7P, IRF3007, IRF3007L, IRF3007S, IRF1407, IRF3205ZL, IRF3205ZS, IRF3305, IRF3515L, IRF3610S, IRF3703, IRF3704Z, IRF3704ZCS