Справочник MOSFET. IRF3708S

 

IRF3708S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF3708S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 707 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRF3708S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3708S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  international rectifier
 irf3708pbf irf3708spbf irf3708lpbf.pdf pdf_icon

IRF3708S

PD - 95363IRF3708PbFSMPS MOSFET IRF3708SPbFIRF3708LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62Al High Frequency Buck Converters forComputer Processor Powerl Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low Gate Impedancel Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ful

 ..2. Size:277K  international rectifier
 irf3708pbf irf3708spbf.pdf pdf_icon

IRF3708S

PD - 95363IRF3708PbFSMPS MOSFET IRF3708SPbFIRF3708LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62Al High Frequency Buck Converters forComputer Processor Powerl Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low Gate Impedancel Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ful

 ..3. Size:138K  international rectifier
 irf3708s irf3708l.pdf pdf_icon

IRF3708S

PD - 93938BIRF3708SMPS MOSFET IRF3708SIRF3708LApplicationsHEXFET Power MOSFET High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62A High Frequency Buck Converters forComputer Processor PowerBenefits Ultra-Low Gate Impedance Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Fully Characterized Avalanch

 ..4. Size:271K  inchange semiconductor
 irf3708s.pdf pdf_icon

IRF3708S

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3708SDESCRIPTIONStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 12m@V = 10VGSDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .High Frequency Synchronous Buck Converters for ComputerProcessor Power.ABSOLUTE MAXIMUM RA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF3704ZL , IRF3704ZS , IRF3707Z , IRF3707ZCL , IRF3707ZCS , IRF3707ZL , IRF3707ZS , IRF3708 , IRF730 , IRF3709 , IRF3709L , IRF3709S , IRF3709Z , IRF3709ZCS , IRF3709ZL , IRF3709ZS , IRF3710Z .

History: IPP50R399CP | HSS2301C | 2SK2481 | RTQ020N05 | FTU220

 

 
Back to Top

 


 
.