Справочник MOSFET. IRF3709ZS

 

IRF3709ZS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF3709ZS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRF3709ZS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3709ZS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  international rectifier
irf3709z irf3709zl irf3709zs.pdfpdf_icon

IRF3709ZS

PD - 95835IRF3709ZIRF3709ZSIRF3709ZLApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Power30V 6.3m: 17nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche VoltageTO-220ABD2Pak TO-262and CurrentIRF3709ZIRF3709ZS IRF3709ZLAbsolute Maximum RatingsParameter M

 ..2. Size:377K  international rectifier
irf3709zlpbf irf3709zpbf irf3709zspbf.pdfpdf_icon

IRF3709ZS

PD -95465IRF3709ZPbFIRF3709ZSPbFIRF3709ZLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl Lead-Free30V 6.3m: 17nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche VoltageTO-220ABD2Pak TO-262and CurrentIRF3709ZIRF3709ZS IRF3709ZLAbsolute Maximum

 ..3. Size:377K  international rectifier
irf3709zpbf irf3709zspbf irf3709zlpbf.pdfpdf_icon

IRF3709ZS

PD -95465IRF3709ZPbFIRF3709ZSPbFIRF3709ZLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl Lead-Free30V 6.3m: 17nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche VoltageTO-220ABD2Pak TO-262and CurrentIRF3709ZIRF3709ZS IRF3709ZLAbsolute Maximum

 ..4. Size:248K  inchange semiconductor
irf3709zs.pdfpdf_icon

IRF3709ZS

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3709ZSDESCRIPTIONStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.3m@V = 10VGSDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .High Frequency Synchronous Buck Converters for ComputerProcessor Power.ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... IRF3708 , IRF3708S , IRF3709 , IRF3709L , IRF3709S , IRF3709Z , IRF3709ZCS , IRF3709ZL , 60N06 , IRF3710Z , IRF3710ZG , IRF3710ZL , IRF3710ZS , IRF3711Z , IRF3711ZCS , IRF3711ZL , IRF3711ZS .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.