IRF3805L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRF3805L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IRF3805L
IRF3805L Datasheet (PDF)
irf3805lpbf irf3805pbf irf3805spbf.pdf

PD - 97046AIRF3805PbFIRF3805SPbFIRF3805LPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureVDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeRDS(on) = 3.3mGDescriptionID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techniques to achieve extremely
irf3805pbf irf3805spbf irf3805lpbf.pdf

PD - 97046AIRF3805PbFIRF3805SPbFIRF3805LPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureVDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeRDS(on) = 3.3mGDescriptionID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techniques to achieve extremely
irf3805l-7ppbf irf3805s-7ppbf.pdf

PD - 97205BIRF3805S-7PPbFIRF3805L-7PPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 2.6mGl Lead-FreeSID = 160ADescriptionS (Pin 2, 3, 5, 6, 7)G (Pin 1) This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestproc
irf3805s-7ppbf irf3805l-7ppbf.pdf

IRF3805S-7PPbFIRF3805L-7PPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 2.6mGl Lead-FreeSID = 160ADescriptionS (Pin 2, 3, 5, 6, 7)G (Pin 1) This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techni
Другие MOSFET... IRF3710ZL , IRF3710ZS , IRF3711Z , IRF3711ZCS , IRF3711ZL , IRF3711ZS , IRF3717 , IRF3805 , 5N50 , IRF3805S , IRF3805S-7P , IRF3808 , IRF3808S , IRF4104 , IRF4104G , IRF4104S , IRF540Z .
History: VBZ3442 | PTW40N50 | NCEP026N10D | 6N60KL-TMS2-T | VBZA4042 | FRX130D3
History: VBZ3442 | PTW40N50 | NCEP026N10D | 6N60KL-TMS2-T | VBZA4042 | FRX130D3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003