Справочник MOSFET. IRF3805S

 

IRF3805S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF3805S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRF3805S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3805S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:389K  international rectifier
irf3805lpbf irf3805pbf irf3805spbf.pdfpdf_icon

IRF3805S

PD - 97046AIRF3805PbFIRF3805SPbFIRF3805LPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureVDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeRDS(on) = 3.3mGDescriptionID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techniques to achieve extremely

 ..2. Size:389K  international rectifier
irf3805pbf irf3805spbf irf3805lpbf.pdfpdf_icon

IRF3805S

PD - 97046AIRF3805PbFIRF3805SPbFIRF3805LPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureVDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeRDS(on) = 3.3mGDescriptionID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techniques to achieve extremely

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
irf3805s.pdfpdf_icon

IRF3805S

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3805SFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

 0.1. Size:308K  international rectifier
irf3805l-7ppbf irf3805s-7ppbf.pdfpdf_icon

IRF3805S

PD - 97205BIRF3805S-7PPbFIRF3805L-7PPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 2.6mGl Lead-FreeSID = 160ADescriptionS (Pin 2, 3, 5, 6, 7)G (Pin 1) This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestproc

Другие MOSFET... IRF3710ZS , IRF3711Z , IRF3711ZCS , IRF3711ZL , IRF3711ZS , IRF3717 , IRF3805 , IRF3805L , IRFP064N , IRF3805S-7P , IRF3808 , IRF3808S , IRF4104 , IRF4104G , IRF4104S , IRF540Z , IRF540ZL .

 

 
Back to Top

 


 
.