IRF6201. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF6201

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1735 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00245 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IRF6201

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF6201 даташит

 ..1. Size:247K  international rectifier
 irf6201pbf.pdf pdf_icon

IRF6201

PD - 97500A IRF6201PbF HEXFET Power MOSFET VDS 20 V RDS(on) max 2.45 m (@VGS = 4.5V) RDS(on) max 2.75 m (@VGS = 2.5V) Qg (typical) 130 nC SO-8 ID 27 A (@TA = 25 C) Applications OR-ing or hot-swap MOSFET Battery operated DC motor inverter MOSFET System/Load switch Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 2.45m @ Vgs = 4.5V) Lower

 8.1. Size:881K  1
 irf620b irfs620b.pdf pdf_icon

IRF6201

 8.2. Size:182K  international rectifier
 irf620s.pdf pdf_icon

IRF6201

 8.3. Size:162K  international rectifier
 irf620spbf.pdf pdf_icon

IRF6201

IRF620S, SiHF620S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.80 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 14 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 3.0 Repetitive Avalanche Rated Qgd (nC) 7.9 Fast Switching Simple Drive Requirements Configuratio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF4104, IRF4104G, IRF4104S, IRF540Z, IRF540ZL, IRF540ZS, IRF5801, IRF5802, IRF640, IRF630N, IRF630NL, IRF630NS, IRF640N, IRF640NL, IRF640NS, IRF6603, IRF6604