Справочник MOSFET. IRF7807VD2

 

IRF7807VD2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7807VD2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1(min) V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.2 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF7807VD2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7807VD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  international rectifier
 irf7807vd2.pdf pdf_icon

IRF7807VD2

PD-94079IRF7807VD2FETKY MOSFET / SCHOTTKY DIODE Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET1 8and Schottky Diode A/S K/D Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC 2 7A/S K/DConverters Up to 5A Output3 6A/S K/D Low Conduction Losses4 5 Low Switching LossesG K/DD Low Vf Schottky RectifierTop ViewDescriptionSO-8The FETKY family of Co-Pack H

 5.1. Size:117K  international rectifier
 irf7807vd1.pdf pdf_icon

IRF7807VD2

PD-94078IRF7807VD1FETKY MOSFET / SCHOTTKY DIODE Co-Pack N-channel HEXFET Power MOSFET1 8and Schottky Diode A/S K/D Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC 2 7A/S K/DConverters Up to 5A Output3 6A/S K/D Low Conduction Losses4 5 Low Switching LossesG K/DD Low Vf Schottky RectifierTop ViewDescriptionSO-8The FETKY family of Co-Pack H

 6.1. Size:213K  international rectifier
 irf7807vtrpbf-1.pdf pdf_icon

IRF7807VD2

IRF7807VTRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VA1 8S DRDS(on) max 25 m2 7(@V = 4.5V) S DGSQg (typical) 9.5 nC3 6S DID 4 58.3 A G D(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmen

 6.2. Size:159K  international rectifier
 irf7807v.pdf pdf_icon

IRF7807VD2

PD-94108IRF7807V N Channel Application Specific MOSFET Ideal for Mobile DC-DC Converters Low Conduction LossesA Low Switching Losses1 8S D2 7Description S DThis new device employs advanced HEXFET Power3 6S DMOSFET technology to achieve an unprecedented4 5balance of on-resistance and gate charge. TheG Dreduction of conduction and switching losses m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF7805Q , IRF7805Z , IRF7805ZG , IRF7807A , IRF7807D1 , IRF7807D2 , IRF7807V , IRF7807VD1 , 5N60 , IRF7807Z , IRF7809AV , IRF7811AV , IRF7815 , IRF7821 , IRF7828 , IRF7831 , IRF7832 .

History: IPP147N03L

 

 
Back to Top

 


 
.