IRF7853 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF7853
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.9 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF7853
IRF7853 Datasheet (PDF)
irf7853pbf.pdf

PD - 97069IRF7853PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Primary Side Switch in Bridge TopologyVDSS RDS(on) max ID in Universal Input (36-75Vin) Isolated18m:@VGS = 10V100V 8.3A DC-DC Convertersl Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DCAConvertersA1 8S Dl Secondary Side Synchronous2 7Rectification Switch for 15Vout S Dl Suitable
irf7855pbf.pdf

PD - 97173AIRF7855PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Primary Side Switch in Bridge Topology VDSS RDS(on) max IDin Isolated DC-DC Converters9.4m:@VGS = 10V60V 12Al Primary Side Switch in Push-Pull Topology for 18-36Vin Isolated DC-DCConvertersl Secondary Side SynchronousAARectification Switch for 15Vout1 8S Dl Suitable for 48V Non-Isolated2 7S DSynchron
irf7854pbf.pdf

PD - 97172IRF7854PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Primary Side Switch in Bridge or two-VDSS RDS(on) max IDswitch forward topologies using 48V13.4m:@VGS = 10V80V 10A(10%) or 36V to 60V ETSI range inputs.l Secondary Side SynchronousRectification Switch for 12VoutAl Suitable for 48V Non-Isolated A1 8S D Synchronous Buck DC-DC Applications2 7S D3 6Bene
irf7855.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETIRF7855 (KRF7855)SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 9.4m (VGS = 10V)A 1.50 0.15A1 8S D2 7S D1 Source 5 Drain6 Drain3 6 2 SourceS D7 Drain3 Source4 8 Drain54 GateG D Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60V Gate
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FW297 | IPP083N10N5
History: FW297 | IPP083N10N5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor