IRFB3307Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFB3307Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 128 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFB3307Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB3307Z даташит

 ..1. Size:316K  international rectifier
 irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfs3307ztrlpbf irfsl3307zpbf.pdf pdf_icon

IRFB3307Z

PD - 97214D IRFB3307ZPbF IRFS3307ZPbF Applications IRFSL3307ZPbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching D VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 4.6m max. 5.8m G ID (Silicon Limited) 128A Benefits ID (Package Limited) 120A S l Improved Gate, Av

 ..2. Size:316K  international rectifier
 irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfsl3307zpbf.pdf pdf_icon

IRFB3307Z

PD - 97214D IRFB3307ZPbF IRFS3307ZPbF Applications IRFSL3307ZPbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching D VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 4.6m max. 5.8m G ID (Silicon Limited) 128A Benefits ID (Package Limited) 120A S l Improved Gate, Av

 ..3. Size:246K  inchange semiconductor
 irfb3307z.pdf pdf_icon

IRFB3307Z

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3307Z IIRFB3307Z FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 5.8m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXI

 0.1. Size:243K  international rectifier
 irfb3307zgpbf.pdf pdf_icon

IRFB3307Z

PD - 96212A IRFB3307ZGPbF Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in HEXFET Power MOSFET SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching RDS(on) typ. l Hard Switched and High Frequency Circuits 4.6m max. 5.8m G ID (Silicon Limited) 128A Benefits S ID (Package Limited) 120A l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Rugg

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFB3206G, IRFB3207, IRFB3207Z, IRFB3207ZG, IRFB3256, IRFB3306, IRFB3306G, IRFB3307, IRF520, IRFB3307ZG, IRFB33N15D, IRFB3507, IRFB3607, IRFB3607G, IRFB3806, IRFB38N20D, IRFB4019