IRFB3307ZG - описание и поиск аналогов

 

IRFB3307ZG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFB3307ZG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 128 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRFB3307ZG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB3307ZG даташит

 ..1. Size:243K  international rectifier
irfb3307zgpbf.pdfpdf_icon

IRFB3307ZG

PD - 96212A IRFB3307ZGPbF Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in HEXFET Power MOSFET SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching RDS(on) typ. l Hard Switched and High Frequency Circuits 4.6m max. 5.8m G ID (Silicon Limited) 128A Benefits S ID (Package Limited) 120A l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Rugg

 5.1. Size:316K  international rectifier
irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfs3307ztrlpbf irfsl3307zpbf.pdfpdf_icon

IRFB3307ZG

PD - 97214D IRFB3307ZPbF IRFS3307ZPbF Applications IRFSL3307ZPbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching D VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 4.6m max. 5.8m G ID (Silicon Limited) 128A Benefits ID (Package Limited) 120A S l Improved Gate, Av

 5.2. Size:316K  international rectifier
irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfsl3307zpbf.pdfpdf_icon

IRFB3307ZG

PD - 97214D IRFB3307ZPbF IRFS3307ZPbF Applications IRFSL3307ZPbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching D VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 4.6m max. 5.8m G ID (Silicon Limited) 128A Benefits ID (Package Limited) 120A S l Improved Gate, Av

 5.3. Size:246K  inchange semiconductor
irfb3307z.pdfpdf_icon

IRFB3307ZG

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3307Z IIRFB3307Z FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 5.8m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... IRFB3207 , IRFB3207Z , IRFB3207ZG , IRFB3256 , IRFB3306 , IRFB3306G , IRFB3307 , IRFB3307Z , K2611 , IRFB33N15D , IRFB3507 , IRFB3607 , IRFB3607G , IRFB3806 , IRFB38N20D , IRFB4019 , IRFB4020 .

History: AGM615MNA | 2SK3705 | AGM405F | SM2690NSC | 2SK1228 | FCP099N65S3 | P120NF10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.