IRFH5025 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFH5025 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFH5025
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: PQFN5X6
 

 Аналог (замена) для IRFH5025

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH5025 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  international rectifier
 irfh5025pbf.pdf pdf_icon

IRFH5025

IRFH5025PbFHEXFET Power MOSFETVDS 250 VRDS(on) max 100 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 37 nCRG (typical) 1.6 ID 25 APQFN 5X6 mm(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon Lower Conduction LossesLow Th

 7.1. Size:260K  1
 irfh5020trpbf.pdf pdf_icon

IRFH5025

IRFH5020PbFHEXFET Power MOSFETVDS 200 VRDS(on) max 55 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 36 nCRG (typical) 1.9 ID 34 A(@Tc(Bottom) = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon Lower Conduction LossesLow The

 7.2. Size:341K  international rectifier
 irfh5020pbf.pdf pdf_icon

IRFH5025

PD -97428IRFH5020PbFHEXFET Power MOSFETVDS200 VRDS(on) max 55 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 36nCRG (typical) 1.9ID 43 APQFN 5X6 mm(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon Lower Conduction Losses

 8.1. Size:263K  1
 irfh5006trpbf.pdf pdf_icon

IRFH5025

IRFH5006PbFHEXFET Power MOSFETVDS 60 VRDS(on) max 4.1 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 69 nCRG (typical) 1.2 ID 100 A(@Tmb = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon ( 4.1m) Lower Conduction Losses

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFH3702 , IRFH3707 , IRFH5004 , IRFH5006 , IRFH5007 , IRFH5010 , IRFH5015 , IRFH5020 , IRFB3607 , IRFH5053 , IRFH5104 , IRFH5106 , IRFH5110 , IRFH5204 , IRFH5206 , IRFH5207 , IRFH5210 .

History: 2N5115UBE3 | J112G | 2SK2432

 

 
Back to Top

 


 
.