IRFH5110 - описание и поиск аналогов

 

IRFH5110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH5110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 324 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0124 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH5110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH5110 даташит

 ..1. Size:250K  international rectifier
irfh5110pbf.pdfpdf_icon

IRFH5110

IRFH5110PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V RDS(on) max 12.4 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 54 nC RG (typical) 1.5 ID PQFN 5X6 mm 63 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Features and Benefits Benefits Features Low RDSon (

 8.1. Size:331K  international rectifier
irfh5106pbf.pdfpdf_icon

IRFH5110

PD -95959 IRFH5106PbF HEXFET Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) max 5.6 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 50 nC RG (typical) 1.4 ID 100 A PQFN 5X6 mm (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 5.6m )

 8.2. Size:256K  international rectifier
irfh5104pbf.pdfpdf_icon

IRFH5110

IRFH5104PbF HEXFET Power MOSFET VDS 40 V RDS(on) max 3.5 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 53 nC RG (typical) 1.4 ID 100 A (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 3.5m ) Lower Conductio

 9.1. Size:260K  1
irfh5020trpbf.pdfpdf_icon

IRFH5110

IRFH5020PbF HEXFET Power MOSFET VDS 200 V RDS(on) max 55 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 36 nC RG (typical) 1.9 ID 34 A (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon Lower Conduction Losses Low The

Другие MOSFET... IRFH5007 , IRFH5010 , IRFH5015 , IRFH5020 , IRFH5025 , IRFH5053 , IRFH5104 , IRFH5106 , 5N65 , IRFH5204 , IRFH5206 , IRFH5207 , IRFH5210 , IRFH5215 , IRFH5220 , IRFH5250 , IRFH5250D .

History: FHP100N03C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.