IRFH5250D - описание и поиск аналогов

 

IRFH5250D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH5250D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH5250D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH5250D даташит

 ..1. Size:292K  international rectifier
irfh5250dpbf.pdfpdf_icon

IRFH5250D

IRFH5250DPbF HEXFET Power MOSFET VDS 25 V RDS(on) max 1.4 m (@VGS = 10V) VSD max 0.6 V (@IS = 5.0A) trr (typical) 27 ns ID PQFN 5X6 mm 100 A (@Tmb = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon (

 6.1. Size:261K  international rectifier
irfh5250pbf.pdfpdf_icon

IRFH5250D

IRFH5250PbF HEXFET Power MOSFET VDS 25 V RDS(on) max 1.15 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 52 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A PQFN 5X6 mm (@Tmb = 25 C) Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features and Benefits Benefits Features Low RDSon (

 7.1. Size:298K  international rectifier
irfh5255pbf.pdfpdf_icon

IRFH5250D

PD -96289 IRFH5255PbF HEXFET Power MOSFET VDS 25 V RDS(on) max 6.0 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 7.0 nC RG (typical) 0.6 ID PQFN 5X6 mm 51 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Control MOSFET for high Frequency Buck Converters Features and Benefits Benefits Features Low Charge (typical 7nC) Lower Switching Losses Low Rg (typical 0.6 ) Lower Switching Losses

 8.1. Size:210K  international rectifier
irfh5210pbf.pdfpdf_icon

IRFH5250D

PD - 97490A IRFH5210PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V RDS(on) max 14.9 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 40 nC RG (typical) 1.7 ID 55 A PQFN 5X6 mm (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 14.9m

Другие MOSFET... IRFH5110 , IRFH5204 , IRFH5206 , IRFH5207 , IRFH5210 , IRFH5215 , IRFH5220 , IRFH5250 , STP80NF70 , IRFH5255 , IRFH5300 , IRFH5301 , IRFH5302 , IRFH5302D , IRFH5303 , IRFH5304 , IRFH5306 .

History: WNM07N65 | WNM2016

 

 

 

 

↑ Back to Top
.