IRFH5302D - описание и поиск аналогов

 

IRFH5302D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH5302D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH5302D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH5302D даташит

 ..1. Size:241K  international rectifier
irfh5302dpbf.pdfpdf_icon

IRFH5302D

IRFH5302DPbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V RDS(on) max 2.5 m (@VGS = 10V) VSD max 0.65 V (@IS = 5.0A) trr (typical) 19 ns ID PQFN 5X6 mm 100 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon (

 6.1. Size:240K  1
irfh5302trpbf.pdfpdf_icon

IRFH5302D

IRFH5302PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V RDS(on) max 2.1 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 29 nC RG (typical) 1.6 ID 100 A (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Synchronous MOSFET for buck converters Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features and Benefits Benefits Features ) Low RDSon (

 6.2. Size:240K  international rectifier
irfh5302pbf.pdfpdf_icon

IRFH5302D

IRFH5302PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V RDS(on) max 2.1 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 29 nC RG (typical) 1.6 ID 100 A (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Synchronous MOSFET for buck converters Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features and Benefits Benefits Features ) Low RDSon (

 6.3. Size:209K  international rectifier
irfh5302.pdfpdf_icon

IRFH5302D

PD -97156 IRFH5302PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V RDS(on) max 2.1 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 29 nC RG (typical) 1.6 ID 100 A (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Synchronous MOSFET for buck converters Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features and Benefits Benefits Features

Другие MOSFET... IRFH5215 , IRFH5220 , IRFH5250 , IRFH5250D , IRFH5255 , IRFH5300 , IRFH5301 , IRFH5302 , 4N60 , IRFH5303 , IRFH5304 , IRFH5306 , IRFH5406 , IRFH6200 , IRFH7914 , IRFH7921 , IRFH7932 .

History: IXFP22N65X2M | STB8NM60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.