IRFH7914 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFH7914
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
Тип корпуса: PQFN5X6
IRFH7914 Datasheet (PDF)
irfh7914pbf.pdf
PD - 97336IRFH7914PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck ConvertersVDSS RDS(on) maxQgused for Notebook Processor Power8.7m30V @VGS = 10V8.3nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsSl Very low RDS(ON) at 4.5V VGSSDl Low Gate ChargeSl Fully Characterized Avalanche Voltage andDG Current
irfh7914pbf.pdf
IRFH7914PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck ConvertersVDSS RDS(on) maxQgused for Notebook Processor Power8.7m30V @VGS = 10V8.3nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsl Very low RDS(ON) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche Voltage and Currentl 100% Tested for RGl Lead-
irfh7914trpbf.pdf
IRFH7914PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Control MOSFET of Sync-Buck ConvertersVDSS RDS(on) maxQgused for Notebook Processor Power8.7m30V @VGS = 10V8.3nCl Control MOSFET for Isolated DC-DCConverters in Networking SystemsBenefitsl Very low RDS(ON) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche Voltage and Currentl 100% Tested for RGl Lead-
irfh7911pbf.pdf
PD - 97427AIRFH7911PbFHEXFET Power MOSFETQ1 Q2VDS30 30 VRDS(on) max 8.6 3.0 m:(@VGS = 10V)Qg (typical)8.3 34nCID 13 28 A(@TA = 25C)Dual PQFN 5X6 mmApplications Control and synchronous MOSFET for buck convertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesIncreased power densityControl and synchronous FET in one package(50% vs two PQFN 5x6) Low char
irfh7911pbf.pdf
IRFH7911PbFHEXFET Power MOSFETQ1 Q2VDS30 30 VRDS(on) max 8.6 3.0 m(@VGS = 10V)Qg (typical)8.3 34 nCID 13 28 A(@TA = 25C)Dual PQFN 5X6 mmApplications Control and synchronous MOSFET for buck convertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesIncreased power densityControl and synchronous FET in one package(50% vs two PQFN 5x6) Low charge control MOSF
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IRFHM9391 | JS65R170CM | JST2301H | WMB80P04TS
History: IRFHM9391 | JS65R170CM | JST2301H | WMB80P04TS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918