IRFH7932. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFH7932
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: PQFN5X6
Аналог (замена) для IRFH7932
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFH7932 даташит
irfh7932pbf.pdf
IRFH7932PbF Applications HEXFET Power MOSFET l Synchronous MOSFET for Notebook VDSS RDS(on) max Qg Processor Power l Synchronous Rectifer MOSFET for Isolated 3.3m @VGS = 10V 30V 34nC DC-DC Converters in Networking Systems Benefits S l Very low RDS(ON) at 4.5V VGS S l Low Gate Charge D S l Fully Characterized Avalanche Voltage and D G Current D l 100% Tested for RG D l
irfh7934trpbf.pdf
IRFH7934PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg l Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power 30V 3.5m @VGS = 10V 20nC l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Benefits l Very low RDS(ON) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 100% Tested for RG PQFN 5X6 mm l L
irfh7936pbf.pdf
PD -97337A IRFH7936PbF Applications HEXFET Power MOSFET l Synchronous MOSFET for Notebook VDSS RDS(on) max Qg Processor Power l Synchronous Rectifer MOSFET for Isolated 4.8m @VGS = 10V 30V 17nC DC-DC Converters in Networking Systems Benefits S l Very low RDS(ON) at 4.5V VGS S l Low Gate Charge D S l Fully Characterized Avalanche Voltage and D G Current D l 100% Teste
irfh7934pbf.pdf
IRFH7934PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg l Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power 30V 3.5m @VGS = 10V 20nC l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Benefits l Very low RDS(ON) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 100% Tested for RG PQFN 5X6 mm l L
Другие MOSFET... IRFH5302D , IRFH5303 , IRFH5304 , IRFH5306 , IRFH5406 , IRFH6200 , IRFH7914 , IRFH7921 , AO3407 , IRFH7934 , IRFH7936 , IRFH8318 , IRFH8324 , IRFH8325 , IRFH8330 , IRFH8334 , IRFH8337 .
History: TF2323 | STB9NK90Z | 2SK3699-01MR | LSD60R105HF | FS10UM-9 | IRFP4127 | FDB150N10
History: TF2323 | STB9NK90Z | 2SK3699-01MR | LSD60R105HF | FS10UM-9 | IRFP4127 | FDB150N10
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet




