IRFHM830 - описание и поиск аналогов

 

IRFHM830. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFHM830

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: PQFN3.3X3.3

Аналог (замена) для IRFHM830

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFHM830 даташит

 ..1. Size:532K  international rectifier
 irfhm830pbf.pdf pdf_icon

IRFHM830

IRFHM830PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V RDS(on) max 3.8 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 15 nC Rg (typical) 2.5 ID 40 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features Benefits Low RDSon (

 0.1. Size:532K  1
 irfhm830trpbf.pdf pdf_icon

IRFHM830

IRFHM830PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V RDS(on) max 3.8 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 15 nC Rg (typical) 2.5 ID 40 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features Benefits Low RDSon (

 0.2. Size:243K  international rectifier
 irfhm830d.pdf pdf_icon

IRFHM830

PD -96327A IRFHM830DPbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V RDS(on) max D 5 4 G 4.3 m (@VGS = 10V) D 6 3 S Qg (typical) 13 nC D 7 2 S RG (typical) 1.1 D 8 1 S ID 40 A 3.3mm x 3.3mm PQFN (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for Buck Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 4.3m ) Lower Conduction Losses Schottky intrin

 0.3. Size:243K  international rectifier
 irfhm830dpbf.pdf pdf_icon

IRFHM830

PD -96327A IRFHM830DPbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V RDS(on) max D 5 4 G 4.3 m (@VGS = 10V) D 6 3 S Qg (typical) 13 nC D 7 2 S RG (typical) 1.1 D 8 1 S ID 40 A 3.3mm x 3.3mm PQFN (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for Buck Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 4.3m ) Lower Conduction Losses Schottky intrin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFH7934 , IRFH7936 , IRFH8318 , IRFH8324 , IRFH8325 , IRFH8330 , IRFH8334 , IRFH8337 , P60NF06 , IRFHM830D , IRFHM831 , IRFHS8242 , IRFHS8342 , IRFI4110G , IRFI4227 , IRFI4229 , IRFI4321 .

History: IRF8252PBF-1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.