BF990 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BF990
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: SOT143
Аналог (замена) для BF990
BF990 Datasheet (PDF)
bf990a 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF990AN-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF990AFEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back d
bf990a.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF990AN-channel dual-gate MOS-FETApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FET BF990AFEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143integrated back-to-back d
Другие MOSFET... BF966S , BF980 , BF980A , BF981 , BF982 , BF988 , BF989 , BF989S , IRFB7545 , BF990A , BF991 , BF992 , BF992R , BF993 , BF994 , BF994S , BF994SR .
History: FQPF3N60 | DH100P18V | P2060JF | UT8205A | IRFS7787 | MTN7002ZS3 | IXTH140P05T
History: FQPF3N60 | DH100P18V | P2060JF | UT8205A | IRFS7787 | MTN7002ZS3 | IXTH140P05T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494