BF991. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF991

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 2.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm

Тип корпуса: TO253

Аналог (замена) для BF991

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF991 даташит

 ..1. Size:32K  philips
 bf991 2.pdf pdf_icon

BF991

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF991 N-channel dual-gate MOS-FET April 1991 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF991 FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back dio

 ..2. Size:42K  philips
 bf991.pdf pdf_icon

BF991

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF991 N-channel dual-gate MOS-FET April 1991 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FET BF991 FEATURES DESCRIPTION Protected against excessive input voltage surges by Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 integrated back-to-back dio

Другие IGBT... BF980A, BF981, BF982, BF988, BF989, BF989S, BF990, BF990A, K2611, BF992, BF992R, BF993, BF994, BF994S, BF994SR, BF995, BF996